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Samsung vise à lancer la production de masse de puces 3 nm la semaine prochaine

by Neville Desruisseaux


Samsung devrait annoncer le début de la production de masse de puces 3 nm la semaine prochaine, rapporte Actualités Yonhap. Cela signifie que la société devancera TSMC, qui devrait commencer la production de puces 3 nm au second semestre de cette année.

Le nœud 3 nm de Samsung apportera une diminution de 35 % de la surface, des performances supérieures de 30 % ou une consommation d’énergie réduite de 50 % par rapport à son processus 5 nm (qui était utilisé pour Snapdragon 888 et Exynos 2100).

Ceci sera réalisé en passant à une conception Gate-All-Around (GAA) pour les transistors. Il s’agit de la prochaine étape après FinFET, car cela permet à la fonderie de réduire la taille des transistors, sans endommager leur capacité à transporter le courant. La conception GAAFET utilisée dans le nœud 3 nm est le type MBCFET illustré dans l’image ci-dessous.

L’évolution des transistors au silicium.

Le président américain Joe Biden a visité l’usine Samsung de Pyeongtaek le mois dernier pour assister à une démonstration de la technologie 3 nm de Samsung. L’année dernière, il a été question que l’entreprise pourrait investir 10 milliards de dollars pour construire une fonderie de 3 nm au Texas. Cet investissement est passé à 17 milliards de dollars, l’usine devant démarrer ses activités en 2024.

Le site de l'usine Samsung à Taylor, TexasLe site de l’usine Samsung à Taylor, Texas

Quoi qu’il en soit, la plus grande préoccupation avec un nouveau nœud est la performance. En octobre de l’année dernière, Samsung a déclaré que les performances de son processus 3 nm étaient proches d’un niveau similaire à celui du processus 4 nm. Bien que la société n’ait jamais publié de chiffres officiels, les analystes estiment que le nœud 4 nm de Samsung était en proie à des problèmes de performances.

Un nœud 3 nm de deuxième génération est attendu en 2023 et la feuille de route de la société comprend également un nœud 2 nm basé sur MBCFET en 2025.

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